Viis levinud suure võimsusega LED-kristallide kiibi valmistamise meetodit
Valgusallikana on suure võimsusega LED-ide eelised väiksus, madal energiatarve, madal soojuse tootmine, pikk kasutusiga, kiire reageerimiskiirus, ohutu madalpinge, hea ilmastikukindlus ja hea suunataluvus. Väliskate võib olla valmistatud PC torust, mis talub kõrget temperatuuri kuni 135 kraadi ja madalat temperatuuri -45 kraadi. Neljanda põlvkonna elektrilise valgusallikana tuntakse suure võimsusega LED-i kui"roheline valgusallikas". Sellel on suurepärased omadused, nagu väike suurus, ohutu ja madal pinge, pikk kasutusiga, kõrge elektro-optilise muundamise efektiivsus, kiire reageerimiskiirus, energiasääst ja keskkonnakaitse. See asendab kindlasti traditsioonilised hõõglambid, halogeen-volframlambid ja luminofoorlambid on saanud 21. sajandil uue põlvkonna valgusallikateks.
Suure võimsusega LED-kiipide tootmismeetodid on kokku võetud järgmiselt:
① Suurendage sära suurust
Üks LED-valgust kiirgav ala ja soovitud magnetvoo saavutamiseks suurendavad tõhusalt ühtlase jaotuskihi TCL kaudu voolava voolu kogust. Kuid lihtsalt valgust kiirgava ala suurendamine seda probleemi ei lahenda ning soojuse hajumise probleem ei suuda praktilistes rakendustes saavutada oodatud efekti ja magnetvoogu.
②Ränist tagaplaadi flip-chip meetod
Eutektiline joodis Esmalt valmistage ette suur LED-paneeli valguskiip ja valmistage ette sobiv suurus ränisubstraadil ja ränisubstraadil, kasutage kuldse eutektilise jootekihi ja juhtiva kihi juhti (ultraheli kuldtraadi kuul- ja pesaühendus) ning mobiilseadet [ GG] #39;s LED-kiibid ja suuremahulised ränisubstraadid, mis on joodetud kokku eutektilise joodisega. Selline struktuur on mõistlikum mitte ainult selle probleemi käsitlemiseks, vaid ka valguse ja soojuse probleemi lahendamiseks, mis on peamine suure võimsusega LED-tootmine.
③ Keraamilise plaadi flip-chip meetod
Üldseadme LED-paneeli valguskiibi kristallstruktuur on järgmine suur, eutektiline jootekiht ja juhtiv kiht keraamilisel plaadil ja keraamilisel substraadil, piirkonnas toodetud vastavad juhtmed, keevituselektroodid on kasutusel. kristallist LED-keevitusseade laastude ja suurte keraamiliste lehtede keevitamiseks. Selline struktuur on probleem, mida tuleb kaaluda, ja see on ka probleem, mida tuleb kaaluda. Kõrge soojusjuhtivusega keraamiliste plaatide ja keraamiliste plaatide kasutamine valguse ja soojuse jaoks on väga hea soojuse hajumise efektiga ja suhteliselt madala hinnaga. See sobib rohkem praeguste põhiliste pakkematerjalide jaoks ja tulevikus integraallülituste integreerimiseks reserveeritud ruumi jaoks.
④ Safiirist substraadi ülemineku meetod
PN-ristmiku tootja kasvatab pärast safiirsubstraadi eemaldamist safiirsubstraadile InGaN kiibi ja ühendab seejärel traditsioonilise kvaternaarse materjali suure struktuuriga sinise LED-kiibi alumise elektroodiga tavapärastel meetoditel.
⑤ AlGaInN ränikarbiidi (SiC) tagumise valguse meetod
Cree on maailma&ainus AlGaInN ülierksate LED-de tootja, millel on ränikarbiidist aluspinnad. Aastate jooksul toodetud AlGaInN/SICA kiipide arhitektuuri on pidevalt täiustatud ja heledust suurendatud. Kuna P-tüüpi ja N-tüüpi elektroodid paiknevad vastavalt kiibi üla- ja alaosas, kasutades ühte traati, on parem ühilduvus, kasutuslihtsus ja seega saab sellest AlGaInNLED-i arenduses veel üks peavoolutoode.
